CID Lab Lucrarea 5: Diferență între versiuni

De la WikiLabs
Jump to navigationJump to search
Fără descriere a modificării
Linia 22: Linia 22:


*Descrieți în Verilog o memorie RAM 16x4b cu două porturi:
*Descrieți în Verilog o memorie RAM 16x4b cu două porturi:
** Un port de scriere (Write-Only) cu următoarele semnale:
** Un port sincron de scriere (Write-Only) cu următoarele semnale:
*** WR_ADDR - adresa la care se scrie
*** WR_ADDR - adresa la care se scrie
*** WR_EN - comanda de scriere
*** WR_EN - comanda de scriere
*** WR_DATA - datele scrise
*** WR_DATA - datele scrise
** Un port de citire (Read-Only) cu următoarele semnale:
** Un port sincron de citire (Read-Only) cu următoarele semnale:
*** RD_ADDR - adresa citită
*** RD_ADDR - adresa citită
*** RD_EN - comanda de citire
*** RD_DATA - datele citite
*** RD_DATA - datele citite
* Memoria va fi instanțiată  
* Memoria va fi instanțiată  

Versiunea de la data 3 mai 2015 19:16

Noțiuni și cunoștințe necesare

Exemplu

  • Se va descrie în Verilog o memorie RAM 16x4b cu un port de citire-scriere sincron.
  • Se vor scrie contrâgerile necesare pentru a conecta
    • adresa la SW7-4 și data de intrare la SW3-0.
    • semnalul de activare a scrierii la unul din butoane (BTN0 ... BTN3).
    • ieșirea memoriei la LD3-0.
    • intrarea de ceas a memoriei la oscilatorul plăcii Nexys 2.
  • Scrieți adresele 3, 6 și 10 cu valorile 2, 1 respectiv 0, apoi citiți-le în aceeași ordine.

Exercițiu

  • Descrieți în Verilog o memorie RAM 16x4b cu două porturi:
    • Un port sincron de scriere (Write-Only) cu următoarele semnale:
      • WR_ADDR - adresa la care se scrie
      • WR_EN - comanda de scriere
      • WR_DATA - datele scrise
    • Un port sincron de citire (Read-Only) cu următoarele semnale:
      • RD_ADDR - adresa citită
      • RD_EN - comanda de citire
      • RD_DATA - datele citite
  • Memoria va fi instanțiată
  • Scrieți constrângerile necesare pentru a conecta
    • WR_ADDR la SW7-4,
    • WR_DATA la SW3-0,
    • WR_EN la BTN3,
    • RD_DATA la LD3-0,
    • intrarea de ceas a memoriei la oscilatorul plăcii Nexys 2.