Dispozitive Semiconductoare de Putere (laborator): Diferență între versiuni

De la WikiLabs
(Pagină nouă: Laboratorul de DSP urmareste familiarizarea studentilor cu nivelul mare de injectie a curentului, oglindit in caracteristicile electrice ale dispozitivelor semiconductoare si in param...)
 
 
(Nu s-au afișat 3 versiuni intermediare efectuate de alți 2 utilizatori)
Linia 1: Linia 1:
Laboratorul de DSP urmareste familiarizarea studentilor cu nivelul mare de injectie a curentului, oglindit in caracteristicile electrice ale dispozitivelor semiconductoare si in parametrii acestora. Are si o parte de simulare in SPICE, avand ca obiect obtinerea caracteristicilor electrice ale unor dispozitive de putere reprezentative, precum IGBT-ul si tiristorul. Cadru didactic: Miron Cristea
+
Laboratorul de DSP urmărește familiarizarea studenților cu nivelul mare de injecție a curentului, oglindit în caracteristicile electrice ale dispozitivelor semiconductoare și în parametrii acestora. Are și o parte de simulare în SPICE, având ca obiect obținerea caracteristicilor electrice ale unor dispozitive de putere precum IGBT-ul și cascoda MOS/SIT. <!--http://arh.pub.ro/dsp.html-->
 +
 
 +
Cadru didactic: [http://www.dcae.pub.ro/ro/membri/31/cristea_miron/ ș.l. Miron Cristea]
 +
 
 +
= Platforme de laborator =
 +
 
 +
* Laborator 1: [[Fișier:DSPLab1.pdf]]
 +
* Laborator 2: [[Fișier:DSPLab2.pdf]]
 +
* Laborator 3: [[Fișier:DSPLab3.pdf]]

Versiunea curentă din 13 ianuarie 2016 09:11

Laboratorul de DSP urmărește familiarizarea studenților cu nivelul mare de injecție a curentului, oglindit în caracteristicile electrice ale dispozitivelor semiconductoare și în parametrii acestora. Are și o parte de simulare în SPICE, având ca obiect obținerea caracteristicilor electrice ale unor dispozitive de putere precum IGBT-ul și cascoda MOS/SIT.

Cadru didactic: ș.l. Miron Cristea

Platforme de laborator